Adafruit MOSFET de puissance à canal N

Quand tu dois commuter beaucoup de puissance, les MOSFETs canal N sont excellents en performance. Ces FETs peuvent gérer plus de 60A et 30V, et sont logés dans des boîtiers TO-220 pour une intégration facile sur n'importe quelle plaque d'essai ou plaque perforée. Leur conception assure une dissipation thermique efficace, même sous des charges élevées.

Avec une résistance Rds(on) extrêmement faible, jusqu'à 0,009 ohm, ces MOSFET peuvent fonctionner sans dissipateur thermique sous des charges élevées. La tension de seuil, inférieure à 2,5 V, permet un contrôle direct via des microcontrôleurs fonctionnant sur une logique de 2,8 V, 3,3 V ou 5 V. Le boîtier TO-220 peut dissiper jusqu'à 2 W sans dissipateur thermique supplémentaire à température ambiante.

Dotés d'un Rds aussi faible que 9 milliohms, ils permettent de commuter au moins 15 ampères sans dissipateur thermique, et même davantage avec la modulation de largeur d'impulsion (PWM). Pour des calculs précis, il est recommandé de consulter des documents de référence.