Adafruit MOSFET de puissance à canal N

Pour commuter une puissance importante, les MOSFET canal N offrent d'excellentes performances. Ces FET supportent plus de 60 A et 30 V, et sont logés dans des boîtiers TO-220 pour une intégration facile dans n'importe quelle plaque d'essai ou plaque perforée. Leur conception assure une dissipation thermique efficace, même sous fortes charges.

Avec une résistance Rds(on) extrêmement faible, jusqu'à 0,009 ohm, ces MOSFET peuvent fonctionner sans dissipateur thermique sous des charges élevées. La tension de seuil, inférieure à 2,5 V, permet un contrôle direct via des microcontrôleurs fonctionnant sur une logique de 2,8 V, 3,3 V ou 5 V. Le boîtier TO-220 peut dissiper jusqu'à 2 W sans dissipateur thermique supplémentaire à température ambiante.

Dotés d'un Rds aussi faible que 9 milliohms, ils permettent de commuter au moins 15 ampères sans dissipateur thermique, et même davantage avec la modulation de largeur d'impulsion (PWM). Pour des calculs précis, il est recommandé de consulter des documents de référence.