Adafruit MOSFET de puissance à canal P - Boîtier TO-220

Pour commuter une puissance importante, les MOSFET à canal P sont la solution idéale. Ces P-FET sont capables de commuter plus de 60 V et 25 A, avec des performances optimales lorsqu'ils sont équipés d'un dissipateur thermique adapté. Leur boîtier TO-220 assure la compatibilité avec toutes les configurations de platines d'expérimentation ou de plaques perforées, facilitant ainsi leur intégration dans divers projets.

La dissipation thermique des TO-220 est simple. Cependant, grâce à une valeur Rds(on) très faible, jusqu'à 70 mOhms (dépendant de Vgs), ces MOSFET supportent des charges élevées sans nécessiter de gestion thermique supplémentaire. La tension de seuil est gérable jusqu'à 5 V pour un courant de 20 A, permettant un contrôle direct depuis un microcontrôleur logique 5 V.

Le boîtier TO-220 dissipe efficacement jusqu'à 2 watts sans dissipateur thermique à température ambiante. Grâce à leur efficacité et à leur robustesse, ces MOSFET à canal P sont conçus pour offrir des performances de commutation puissantes et fiables dans de nombreuses applications. Des spécifications détaillées, notamment le brochage, sont disponibles dans la fiche technique pour plus d'informations techniques.